Infineon推出低功耗DDR模块-资讯碟阀

Infineon推出低功耗DDR模块-资讯 采用DRAM沟槽工艺制造的英飞凌 DDR2 DRAM 组件在存储电荷时，需要较低的电源阵列工作电压，这对诸如高密度服务器系统和笔记本等对热量和功耗相当敏感的产品而言是一个巨大的优势。低功耗意味着更低的能源成本、更低的散热和更低的制冷系统成本。例如，初步测试表明，英飞凌DDR2 SO-DIMM模块的功耗仅为同类解决方案的三分之二，散热量降低了18%左右。 英飞凌率先推出面向高性能PC市场的DDR2-800内存模块，从而验证了其作为领先内存供应商的地位，同时英飞凌被华硕选为512MB DDR2-800无缓冲型DIMM的“首选供应商”。该内存模块融合了华硕P5WD2 Premium 主板的DDR2-800 性能，为PC发烧友提供高达800Mbit/s的内存带宽，从而最大限度提升台式机的性能。“令我们十分高兴的是，英飞凌模块的测试结果使我们成功地打破了芯片组的限制，获得了最佳的系统性能，”华硕主板事业部总监Joe Hsieh声称。 英飞凌512MB DDR2-800无缓冲型DIMM与现有的高性能内存模块相比，将台式机的数据吞吐量提高了约20%，并可与最先进的处理器前端总线完美匹配。该模块是针对那些不愿对自己的系统进行超频的最终用户而设计的。由于英飞凌的DDR2内存产品具备业界领先的低功耗特性，因此英飞凌运动护踝成为摈弃使用超级散热器的唯一DRAM供应商，目前，这种散热器是数据速率达到800Mbit/s的高速模块的标准配置。 英飞凌DDR2-800无缓冲型模块有两种密度，即256MB和512MB。256MB和512MB模块基于256Mbit DDR2组件，采用符合JEDEC（电子设备工程联合委员会）标准的60引脚FBGA封装。现在客户可获得256MB 和 512MB模块的样品，批量生产拟于2005年6月开始。 定制化8G珠宝盒B DDR2-533堆叠式寄存型DIMM 英飞凌目前正在试供业界第一款面向专利型服务器的双晶片8GB DDR2-533 寄存型 DIM反应器M 内存模块。这些专有服务器并不是基于英特尔或者AMD芯片，而是采用了制造商自己研制的芯片组。新式内存模块包含36颗基于双晶片技术的2Gbit DDR2颗粒，该颗粒由两片牙轮钻头1Gb DDR2 SDRAM晶片堆叠实现。这种技术可以将内存颗粒容量增加一倍，而厚度仅增加0.1毫米。 英飞凌的8GB DDR2-553寄存型DIMM内存模块厚4.1毫米，高30毫米，比同类产品的厚度减少约40%，大大超出了客户对堆叠式解决方案的要求。这种更薄的内存模块可以改善高端DDR2服务器系统内的气流和散热状况。（编辑 keil）